Способ контрастирования слоя нитрида кремния на двуокиси кремния в растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии, к методам контроля поперечных сечений многослойных структур полупроводниковых чипов интегральных схем. При реализации способа контрастирования слоя нитрида кремния на двуокиси кремния производится путем нанесения на поверхность образца контрастирующего покрытия из платиносодержащего слоя, осажденного в системе фокусированного ионного пучка из паров металлоорганического соединения платины при падении ионного пучка под углом 10-15 градусов к поверхности образца. Технический результат заключается в увеличении контрастности слоя нитрида кремния по отношению к слою двуокиси кремния в электронной микроскопии.