РИД
№ 624030400047-0Способ увеличения адгезии фоторезиста в технологии нитрид галлия на кремнии
04.03.2024
Способ увеличения адгезии фоторезиста к слоям оксида (SiO2) и нитрида кремния (Si3N4) посредством контролируемого травления тонкого слоя материала в низкоэнергетической фторосодержащей плазме
ГРНТИ
29.03.39 Лабораторная электроника
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
контролируемое травление
диэлектрик
фоторезист
литография
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
разработка и производство микроэлектронных устройств
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования барьерного слоя для гетероструктур на основе нитрида галлия
0.900
РИД
Способ формирования тонкопленочных резисторов на основе сильнолегированного нитрида галлия
0.900
РИД
Способ подготовки поверхности кремния и стекла перед процессом анодного бондинга
0.898
РИД
Разработка технологии нанесения защитных оксидных покрытий на основе РЗМ для нитрид-галлиевых интегральных схем СВЧ диапазона
0.897
НИОКТР
Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление
0.896
РИД
Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление
0.896
РИД
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.896
РИД
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.896
РИД
Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке
0.893
РИД
Низкотемпературный способ формирования полупроводниковых слоев фосфида галлия и твердых растворов на его основе на подложках кремния
0.893
РИД