РИД
№ 624012605625-9«Программа для расчета схемы экспозиции при электронно-лучевой литографии с коррекцией эффекта близости» (Proximity)
26.01.2024
Программа Proximity предназначена для расчета схем экспозиции при электронно-лучевой литографии с коррекцией эффекта близости. При выполнении электронно-лучевой литографии возникает паразитный эффект, связанный с переоблучением резиста обратно-рассеянными электронами. Данный эффект близости приводит к падению разрешения литографии и возникновению нежелательных артефактов в проявленных масках. Для компенсации эффекта близости используется метод последовательных приближений с учетом заданного радиального профиля электронного пучка. Скорректированная схема представляет собой изображение в градациях серого, которое может быть использовано в качестве схемы для выполнения электронной литографии.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
электронный микроскоп
эффект близости
Литография
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа может быть использована для повышения качества электронно-литографической обработки материалов и устройств
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Программа моделирования процессов экспонирования и проявления в электронно-лучевой литографии
0.859
РИД
Программа для ЭВМ «Расчет и визуализация двумерного профиля подложки при травлении методом ФИП»
0.848
РИД
Программа моделирования воздействия электронного пучка на полимеры при различных температурах с учетом процессов деполимеризации
0.838
РИД
Исследование физических основ построения рельефа в фоторезистивной маске с разработкой компактной литографической модели
0.836
Диссертация
Разработка методики компенсации деформации в многослойных структурах на участке фотолитографии для применения в производстве печатных плат
0.835
ИКРБС
Программа анализа шероховатости поверхностей и боковых стенок линий на микроскопических снимках полупроводниковых элементов
0.834
РИД
Программа расчета полного вторично-эмиссионного сигнала в растровом электронном микроскопе
0.831
РИД
Программа для расчета параметров межуровневой разводки для адаптивного микрозеркала
0.831
РИД
Программа для вычитания фона рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
0.829
РИД
Оптимизация в задачах моделирования, связанных с формированием фотолитографического изображения
0.829
Диссертация