Способ создания высокоаспектных протяженных структур с диаметрами субмикронных размеров в диэлектрическом кристалле фемтосекундными рентгеновскими импульсами

Изобретение относится к нанотехнологиям и микроструктурным технологиям и может быть использовано для создания протяженных структур в виде полостей с диаметром субмикронных размеров и высоким аспектным соотношением в кристалле фторида лития (LiF). Сущность изобретения заключается в том, что способ создания протяженных полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF c помощью когерентных рентгеновских импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле LiF лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и перемещении этого пятна c микронной точностью по поверхности кристалла, при этом для получения глубоких полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF используют когерентные фемтосекундные (20 фс) рентгеновские импульсы с длиной волны фотонов равной 1.3776 Å, при которой длина затухания в структуре LiF равна 475 мкм. Технический результат заключается в обеспечении возможности упрощения способа создания протяженных полостей субмикронного диаметра с аспектным соотношением порядка 1:1800 в кристалле LiF для создания фотонных кристаллов и фотонных волноводов.