Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления изолирующего слоя с пониженным значением тока утечки. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, изолирующего слоя, отличающийся тем, что изолирующий слой формируют выращиванием слоя окисла на подложке InР р-типа проводимости с уровнем легирования 8*1017 см-3 путем реактивного распыления пластины InР n-тип 0,002 Ом*см при давлении 3-10-5 Па и напуском кислорода О2 давлением 13 Па, при плотности тока на катоде 0,5 мА/см2, плотности магнитного потока 0,015 Тл, температуре подложки 70°С осаждением со скоростью 2,5 нм/мин, с последующим отжигом при температуре подложки 250°С в атмосфере азота N2 в течение 35 мин. Технический результат заключается в снижении токов утечек, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных.