Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным значением дефектности. Сущность: формируют диоксид кремния на кремниевой подложке р-типа проводимости, с ориентацией (100) и удельным сопротивлением 10 Ом.см, в газовой среде SiH4-CO2-HCI-H2, при расходе водорода 110-120 л/мин, расходе силана SiH4 360-500 мл/мин, соотношение между величинами расхода СО2 и силана SiH4 15:1, температуре подложки 850-1050°С, расходе хлористого водорода 0.1-1,0% и скорости осаждения диоксида кремния 22 нм/мин и последующей термообработке при температуре 600°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона. Выращивание слоя окисла с применением хлористого водорода обеспечивает взаимодействие со свободными атомами кремния и предотвращает их внедрение в окисел и тем самым снижается дефектность.