РИД
№ 624052300057-2Программа первопринципного моделирования рабочих характеристик твердотельного транзистора с наноразмерным квази-вакуумным каналом
23.05.2024
Программа предназначена для моделирования вольт-амперных характеристик твердотельного транзистора с наноразмерным квази-вакуумным каналом с учетом физических эффектов, обусловленных наличием в канале пространственного заряда и квантово-механической природой полевой эмиссии в наномасштабе. Особенность работы программы заключается в применении метода первопринципных расчетов, основанного на теории функционала плотности для расчёта электронного транспорта через вакуумный нано-зазор при заданном распределении электрического поля в межэлектродном пространстве.
ГРНТИ
29.35.37 Электронная и ионная эмиссия
29.19.03 Теория конденсированного состояния
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
Первопринципные расчеты
Теория функционала плотности
Автоэлектронная эмиссия
Электронный транспорт
Детали
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Разработка конструктивных основ создания элементной компонентной базы вакуумной наноэлектроники
Ожидается
Исполнитель
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Программа моделирования распределения электрического поля в наноразмерном канале проводимости квази-вакуумного полевого транзистора с учётом ненулевой шероховатости катода
0.929
РИД
Программа приборно-технологического моделирования технологии формирования транзистора с наноразмерным квази-вакуумным каналом
0.922
РИД
Программа моделирования электрофизических характеристик и параметров быстродействия автоэмиссионного кремниевого триода планарного типа с наноразмерным каналом проводимости
0.903
РИД
Программа моделирования работы выхода перспективных материалов эмиттера с учётом поверхностных состояний на основе теории функционала плотности
0.899
РИД
Программа для расчета параметров полевого транзистора с затвором на основе нанопроволок оксида меди и различной плотностью ловушек на поверхности затвора
0.897
РИД
Программа моделирования технологического процесса создания и экстракции электрофизических параметров автоэмиссионного кремниевого триода планарного типа с наноразмерным каналом проводимости
0.891
РИД
Программа физико-топологического моделирования функционально интегрированного СВЧ-коммутатора с управляемой передислокацией максимума плотности электронов
0.887
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.887
РИД
Программа моделирования технологического процесса создания структуры и экстракции электрофизических параметров наноразмерного вакуумного триода
0.883
РИД
Программа численного моделирования эффективности сбора наведенного тока в полупроводниковых структурах
0.881
РИД