Программа моделирования распределения электрического поля в наноразмерном канале проводимости квази-вакуумного полевого транзистора с учётом ненулевой шероховатости катода

Программа предназначена для моделирования распределения электрического поля в наноразмерном канале проводимости квази-вакуумного полевого транзистора с учётом морфологии поверхности автоэмиссионного катода. Расчет компонент электрического поля в межэлектродном пространстве производится на основе численного решения уравнения Пуассона на базе метода конечных элементов. Особенность работы программы заключается в возможности определения степени влияния ненулевой (наноразмерной) шероховатости эмиссионной поверхности катода на вольт-амперные характеристики квази-вакуумного полевого транзистора в диапазоне длин канала проводимости от 100 до 10 нм и ниже.