Способ локального формирования высокоплотных массивов вертикально ориентированных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Предполагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Технический результат достигается за счет того, что для локального формирования на полупроводниковой подложке Si(111) со слоем собственного окисла высокоплотных массивов со 100%-ым выходом вертикально ориентированных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов сначала методом фокусированных ионных пучков на поверхности подложки локально формируются сплошные области с имплантированными ионами Ga по заданной топологии, затем проводится высокотемпературный отжиг в условиях сверхвысокого вакуума, в результате чего на участках с имплантированными ионами Ga самосогласованно формируется маскирующий слой с высокой плотностью пор с повышенной химической и температурной стабильностью за счет обогащения слоя собственного окисла ионами Ga, диффундирующими к поверхности подложки из слоя имплантации, и формирования дополнительной Ga-содержащей оксидной фазы вследствие взаимодействия Ga с собственным окислом Si на поверхности, после чего на подготовленную таким образом поверхность проводится осаждение GaAs, в результате которого в порах формируются высокоплотные массивы вертикально ориентированных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов GaAs.