Способ формирования регулярных массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Позволяет локально формировать на поверхности полупроводниковой подложки Si(111) со слоем собственного окисла регулярные селективные массивы со 100%-ым выходом вертикально ориентированных одиночных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без необходимости использования маскирующих слоев и иных литографических операций за счет локального формирования на подложке методом фокусированных ионных пучков сначала сплошных участков с низкой дозой имплантированных ионов Ga, затем, в пределах данных участков, по заданной топологии формирования точечных областей с высокой дозой ионов Ga, последующего высокотемпературного отжига подложки в условиях сверхвысокого вакуума, в результате чего на участках с имплантированными ионами Ga самосогласованно формируется маскирующий слой с упорядоченным массивом пор, после чего проводится осаждение GaAs, в результате которого в порах формируются регулярные селективные массивы вертикально ориентированных одиночных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов GaAs. Предполагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе.