Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя S-диапазона с автосмещением на основе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии

Функционально микросхема представляет собой линейный трехкаскадный СВЧ усилитель, работающий в S-диапазоне, выполненный на основе 500 нм GaAs технологии. В каждом каскаде реализована схема автоматического смещения, позволяющая использовать однополярное питание для полевых транзисторов. Также, в каждом каскаде выведены контактные площадки с целью контроля напряжения смещения на затворе транзистора. Технические характеристики: диапазон частот 2,7-3,2 ГГц; малосигнальный коэффициент усиления 34,8±0,25 дБ, КСВН по входу и выходу не более 1,3; уровень выходной мощности по P1дБ не менее 13,5 дБм; коэффициент шума не более 2 дБ; напряжение питания +3,3 В; ток потребления – 95 мА. Размеры кристалла 2,95×1,65 мм2. Топология ИМС разработана в рамках государственного задания при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (уникальный идентификатор FEWM-2022-0006).