Сверхвысокочастотная монолитная интегральная схема малошумящего усилителя

Микросхема предназначена для использования в системах Активных Фазированных Антенных Решеток (АФАР), Приемопередающих модулях (ППМ) и системах связи частотного диапазона 8-12 ГГц. Микросхема изготавливается на GaAs подложке по технологии pHEMT с проектной нормой 0.5 мкм. Контактные площадки и обратная сторона пластины металлизированы золотом, лицевая сторона пластины пассивирована нитридом кремния. Малошумящий усилитель состоит из двух каскадов псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT), включенных по схеме с общим истоком. Первый каскад обеспечивает максимальный коэффициент усиления и коэффициент шума близкий к минимальному. Второй каскад реализует максимальное усиление по мощности. Для минимизации влияния затворного смещения транзисторов на их шумовые и усилительные характеристики оба каскада содержат схему истокового автосмещения. Для обеспечения равномерности коэффициента усиления в рабочем диапазоне частот (менее 1 дБ) транзистор второго каскада охвачен параллельной обратной связью по напряжению. Габаритные размеры кристалла 1.9 × 1.0 мм2.