Фотоэлектрическое радиофотонное устройство

Фотоэлектрическое радиофотонное устройство включает оптоволокно и полупроводниковый фотодиод - преобразователь лазерного излучения, выполненный на основе полупроводниковой гетероструктуры с узкозонным фотоактивным слоем, заключенным между фронтальным и тыльным широкозонными слоями, выполненными с противоположными p- и n-типами проводимости. Гетероструктура выполнена в форме цилиндра с осью, являющейся продолжением оптической оси оптоволокна. Узкозонный фотоактивный слой фотодиода выполнен цилиндрическим, а омические контакты выполнены в виде двух электроизолированных полуколец, при этом цилиндрический узкозонный фотоактивный слой и омические контакты выполнены соосными с цилиндром гетероструктуры. На тыльной поверхности гетероструктуры выполнено диэлектрическое интерференционное зеркало с коэффициентом отражения излучения более 98 % на длине волны лазерного излучения. Радиус R фоточувствительной области фотодиода установлен равным R = r + h ∙ tg(arcsinNA), где r – радиус оптоволокна, NA – числовая апертура оптоволокна, h – расстояние от торца оптоволокна до фронтальной поверхности фотодиода. Омические контакты выполнены в виде двух электроизолированных полуколец. Разработанная конструкция обеспечивает увеличение эффективности и мощности при длительности выходных импульсов до 140 пс.