Гетероструктурный фотодиод для ближнего и среднего ИК-диапазона на основе нитевидных нанокристаллов арсенида-фосфида-висмутида индия на подложках кремния

Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для создания фотодиодов, работающих в области ближнего и среднего инфракрасного диапазонов на основе гетероструктуры, состоящей из нитевидных нанокристаллов (ННК) твердых растворов полупроводникового материала InPAsBi и подложки Si, на которой данные кристаллы синтезируются. Техническим результатом, который может быть получен при реализации данной полезной модели, является уменьшение уровня темнового тока и повышение чувствительности фотодиодов за счет уменьшения объема фоточувствительной области при ее реализации внутри ННК и, в то же время, сохранение уровня оптического поглощения на единицу площади устройства в сравнении с аналогичными диодами, реализованными по планарной технологии. Реализация полезной модели предполагает использование кремниевых подложек, что позволит увеличить площади синтеза фотодиодных структур и уменьшить себестоимость отдельных элементов.