РИД
№ 625122900163-3

Конструкция фиксирующей пружины для ленты подложки при осаждении буферного и сверхпроводящего слоев на установке импульсного лазерного осаждения

29.12.2025

НОУ ХАУ относится к технологии вакуумного напыления методом импульсного лазерного осаждения (PLD). Предлагается фиксирующая пружина для предотвращения ослабления крепления ленты подложки, которое возникает за счет температурного расширения при технологическом нагреве ленты подложки от 20 до 850°С, рабочая среда остаточный форвакуум или кислород с парциальным давлением до 150 Па. НОУ ХАУ может быть применено в технологических процессах, где есть потребность в криволинейных пружинах малых усилий с изменяющимся в сторону увеличения радиусом кривизны для диапазона температур от 20 до 850°С. Ноу-хау используется в технологическом процессе производства ленточных сверхпроводников второго поколения (ВТСП-2) при нанесении на ленту подложку текстурированного буферного оксидного слоя СеО2 и сверхпроводящего слоя семейства RЕBCO. Ноу-хау позволяет снизить затраты за счет уменьшения технологического отхода, возникающего при производстве ленточных сверхпроводников, благодаря применению компенсирующей фиксирующей пружины, которая предотвращает сдвиг и перехлест витков ленты подложки. Предлагаемое изменение в штатной технологии крепления ленты подложки с использованием фиксирующей пружины является актуальным к проблеме снижения конечной стоимости производства ВТСП-2 проводов поскольку, уменьшает технологический отход на операции вакуумного напыления методом импульсного лазерного осаждения (PLD).
ГРНТИ
29.19.29 Сверхпроводники
55.22.23 Неметаллические покрытия
55.22.19 Металлические покрытия
Ключевые слова
Буферный слой
сверхпроводящий слой
метод импульсного лазерного осаждения (PLD)
криволинейная пружина малых усилий
пружина с изменяющимся радиусом кривизны
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Производство сверхпроводящих проводов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Составная мишень для осаждения текстурированного оксидного буферного слоя YSZ для ВТСП проводов
0.880
РИД
Методика изменения штатной технологии вакуумного напыления ABAD с целью увеличения скорости роста текстуры и скорости осаждения текстурированного буферного слоя, при уменьшении сопутствующих загрязнений буферного слоя
0.869
РИД
«Электроизолирующее устройство для крепления модуля бланкета на вакуумном корпусе термоядерного реактора»
0.863
РИД
«Устройство с ленточным натяжителем для фиксации деталей в процессе индукционной пайки»
0.862
РИД
Способ изготовления низкорезистивных токовых терминалов для геликоидального сильноточного токонесущего элемента из ВТСП лент 2-го поколения
0.857
РИД
Установка для лужения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения
0.857
РИД
«Устройство для крепления модуля бланкета на вакуумном корпусе термоядерного реактора»
0.854
РИД
Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты)
0.854
РИД
Фундаментальные и прикладные аспекты ионно-пучковой и кластерной об-работки буферного и сверхпроводящего слоёв ВТСП лент 2-го поколения
0.853
НИОКТР
Способ осаждения шунтирующего слоя для лент ВТСП-2
0.852
РИД