Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN

Работа посвящена решению проблемы снижения последовательного электрического сопротивления, а также увеличению коэффициента пропускания прозрачных проводящих контактов для светоизлучающих диодов на основе GaN. Проведена оптимизация технологических процессов, предложен новый тестовый модуль для измерения удельного переходного сопротивления контактов, определён состав и методика нанесения контактных систем. Обнаружен эффект направленного изменения поверхностного сопротивления прозрачных проводящих контактов в зависимости от газовой атмосферы при термической обработке. Разработана многослойная металлизация к n-GaN со значением удельного переходного сопротивления менее 0.3 Ом*мм. Получен прозрачный проводящий контакт на основе пленки ITO с коэффициентом пропускания более 90% в заданном диапазоне длин волн.