Диссертация
№ 423112900043-3Исследование твердых растворов InGaAsP для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
29.11.2023
Цель работы заключалась в разработке технологии изготовления методом МОСГФЭ твердых растворов InGaAsP (Eg 1.05 – 1.2 эВ) на подложках InP исследовании их свойств и разработке технологии изготовления фотоэлектрического преобразователя мощного лазерного излучения на их основе. В ходе работы разработана технология изготовления твёрдых растворов InGaAsP
(Eg = 1.0 - 1.2 эВ) вблизи области спинодального распада n и p типа методом МОСГФЭ на подложках InP. На основе данных твердых растворов разработана технология изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм на. По результатам измерений был достигнут кпд 34.5% при мощности засветки 10 Вт/см2. Показана возможность и разработана технология изготовления каскадного фотоприемника, без туннельных p-n переходов, с использованием соединительных элементов на основе микрокристаллитов GaP.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
полупроводники
фотоэлектрический преобразователь мощного лазерного излучения
твердые растворы InGaAsP
Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений
Детали
Автор
Маричев Артем Евгеньевич
Вид
Кандидатская
Целевое степень
Кандидат физико-математических наук
Дата защиты
26.10.2023
Организация защиты
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Организация автора
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Похожие документы
Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
0.933
Диссертация
Исследование лазерных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si
0.932
ИКРБС
Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2.0–4.5 мкм
0.931
Диссертация
Исследование лазерных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si
0.931
НИОКТР
Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов А³В⁵ и А³В⁵-N на поверхности GaAs, GaP и Si
0.929
Диссертация
Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС
0.929
Диссертация
Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента
0.928
Диссертация
Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
0.925
ИКРБС
Выращивание гетероструктур AIIIBV и исследование их функциональных характеристик
0.924
Диссертация
Разработка технологических методов создания гетероструктур фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе соединений А3В5.
0.923
ИКРБС