Выращивание гетероструктур AIIIBV и исследование их функциональных характеристик

Разработана экспериментальная методика ионно-лучевого осаждения полупроводниковых материалов AIIIBV, позволяющая получать фотоактивные слои и структуры для фотодетекторов ближнего инфракрасного спектра. Разработан процесс создания p-i-n InGaAs/GaAs-гетероструктур с низкой концентрацией носителей заряда в активном слое, имеющих низкую плотность темнового тока 10⁻⁸ А/см² при 300 К и гетероструктур QD-InAs/GaAs с плотно упакованным массивом квантовых точек InAs, обладающих чувствительностью в спектральном диапазоне 0,9 – 1,2 мкм. Предложены математические модели исследуемых гетероструктур, позволяющие проводить расчеты спектральной зависимости внешнего квантового выхода, спектров фотолюминесценции и темновых вольтамперных характеристик. Доказана взаимосвязь параметров технологического процесса ионно-лучевого осаждения: температуры подложки, тока ионного пучка, энергии ионного пучка, скорости роста слоев, геометрии ростовой системы, с морфологией и функциональными характеристиками p-i-n InGaAs/GaAs- и QD-InAs/GaAs-гетероструктур. Доказано наличие связи материала барьерного слоя квантовых точек InAs в QD-InAs/GaAs-гетероструктурах со значением внешнего квантового выхода и плотностью темнового тока при комнатной температуре.