ИКРБС
№ АААА-Б16-216041260033-0Разработка вакуумной камеры для облучения полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм пучками легких ионов.
05.04.2016
Цель: разработка, изготовление и тестирование системы измерения дозы облучения полупроводниковых пластин, разработка и изготовление опытного образца вакуумной камеры для облучения полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм и интеграция системы измерения дозы облучения полупроводниковых пластин в вакуумную камеру, испытание вакуумной камеры для облучения полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм в полной сборке. Разработана и изготовлена система измерения дозы облучения полупроводниковых пластин. Проведено тестирование системы измерения дозы облучения полупроводниковых пластин, в ходе которого получены экспериментальные оценки влияния вторичного излучения на измерение дозы облучения полупроводниковых пластин. Разработан и изготовлен опытный образец вакуумной камеры для облучения полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм, и проведена интеграция системы измерения дозы облучения полупроводниковых пластин в вакуумную камеру. Осуществлено испытание вакуумной камеры для облучения полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм в полной сборке.
ГРНТИ
29.19.21 Влияние облучения на свойства твердых тел
Ключевые слова
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
КОРРЕКЦИЯ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
ОБЛУЧЕНИЕ ПРОТОНАМИ
ВАКУУМНАЯ КАМЕРА
Детали
НИОКТР
№ 115042910043
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
Общество с ограниченной ответственностью "Радиационно-технологический центр"
Похожие документы
Разработка чертежей деталей вакуумной камеры с нагревательными элементами и источниками магнитного поля.
Разработка габаритного чертежа установки.
Разработка программы и методики предварительных испытаний установки.
Разработка электронных узлов для электронных блоков управления установки.
Разработка электрических принципиальных схем электронного блока управления, нагревательных элементов, источников магнитного поля установки.
Разработка схем соединения блока управления, нагревательных элементов, источников магнитного поля установки установки.
Разработка схем подключения блока управления, нагревательных элементов, источников магнитного поля.
Изготовление электронных плат для электронных блоков управления установки.
0.880
ИКРБС
Проектирование кремниевых радиочастотных микросхем и фотонных интегральных схем
0.874
НИОКТР
Разработка электронно-лучевого испарителя с высокой производительностью, равномерностью и воспроизводимостью для получения эпитаксиальных слоев германия на пластинах диаметром 150 мм
0.873
НИОКТР
Разработка технологии сборки германиевых фотокатодов и умножителей потока электронов в высоковакуумные корпуса электронно-оптических преобразователей
0.872
ИКРБС
Проектирование цифровой модели широкоапертурного источника низкоэнергетичных ионов. Разработка конструкции широкоапертурного источника низкоэнергетичных ионов в виде 3-D модели в САПР для изготовления прототипа изделия. Компьютерное моделирование основных кинетических процессов в полом катоде, для контроля достижения заданных характеристик.
0.871
ИКРБС
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур
0.869
РИД
Разработка физических основ технологии и оборудования для обработки металлических и диэлектрических изделий в плазме газового разряда низкого давления (промежуточный), этап 1
0.869
ИКРБС
Вакуумный комплекс термического отжига полупроводниковых пластин
0.869
РИД
Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин
0.866
НИОКТР
«Разработка технологии сборки германиевых фотокатодов и умножителей потока электронов в высоковакуумные корпуса электронно-оптических преобразователей»
0.866
НИОКТР