Этап № 5. Доработка конструкторской документации и программного обеспечения по результатам испытаний (заключительный)

Объект исследования - аналитическое и контрольно-измерительное оборудование технологии микроэлектроники, используемое при оценке качества полупроводниковых приборов, в частности, структур на основе р-n переходов или ФЭП (солнечных элементов - СЭ), изготовленных на основе кремния или германия. Цель исследования - доработка конструкторской документации и программного обеспечения по результатам испытаний опытного образца установки бесконтактного измерения параметров полупроводниковых структур на основе метода фотопотенциала. Сформирован полный комплект технической документации и программного обеспечения на разрабатываемый опытный образец установки, и проведена серия окончательных экспериментов по измерениям фотоотклика на образцах ФЭП, сформированных на пластинах германия. Исследовано аналитическое и контрольно-измерительное оборудование технологии микроэлектроники, используемое при оценке качества полупроводниковых приборов, в частности, структур на основе р-n переходов или ФЭП (солнечных элементов (СЭ)), изготовленных на основе кремния или германия. Проведена доработка конструкторской документации и программного обеспечения по результатам испытаний. Исследовано влияние фотопотенциала и темпоральных характеристик фотопотенциала, измеренных на каскадных СЭ, изготовленных на Ge-подложке с последующим эпитаксиальным наращиванием необходимых слоев AsGa, AlGaAs и т.д., а также на контрольных Si-образцах с разных этапов формирования каскадных ФЭП. В результате исследований проведена доработка КД и программного обеспечения на опытный образец установки.