ИКРБС
№ АААА-Б17-217022020028-8Исследование фундаментальных основ создания электрических инжекционных лазеров. Исследование особенностей излучения упорядоченных структур при фото- и электровозбуждении и перспективы создания инжекционного лазера на их основе
28.12.2016
Объекты исследования: низко- и высокомолекулярные органические полупроводники и устройства органической и квантовой электроники на их основе, созданные методом молекулярной послойной эпитаксии, центрифугирования и термовакуумного напыления.Цель: получение новых фундаментальных знаний об особенностях излучения упорядоченных органических полупроводниковых молекул при фото- и электровозбуждении для создания электрических инжекционных лазеров на их основе. Показана перспективность использования метода молекулярной послойной эпитаксии для создания нанокаталитических структур на примере самоупорядоченных структур на основе кобальт-5,10,15,20 тетракис(4-аминофенил)-21H,23H-порфирина. Созданы активные среды лазеров на основе эпоксидных полимеров, активированных фенилалемином 512, и получена генерация в красном диапазоне спектра. Исследованы генерационные характеристики пленок активированного красителем родамином 6Ж оксида алюминия анодированного в различных условиях. Получена генерация в отсутствие внешнего резонатора в продольной схеме при возбуждении излучением второй гармоники Nd3+:YAG-лазера. В образцах со снятым слоем алюминия генерация распространяется в обоих направлениях от образца. Создан стенд для исследования фотовозбуждаемых гибридных тонкопленочных структур, и получена генерация тонкой пленки на основе дистирилбензола. Разработана методика создания нанокаталитических структур методом молекулярной послойной эпитаксии.
ГРНТИ
29.31.23 Люминесценция
29.33.01 Общие вопросы
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
ЛАЗЕРНО-АКТИВНАЯ СРЕДА
ОРГАНИЧЕСКИЙ СВЕТОДИОД
ОРГАНИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИК
САМООРГАНИЗУЮЩИЕСЯ СТРУКТУРЫ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЛАЗЕР
СОПОЛИМЕР
МОЛЕКУЛЯРНО-ПОСЛОЙНЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ
Детали
НИОКТР
№ 114071440029
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
Похожие документы
СОЗДАНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ВЫБРАННЫХ МОЛЕКУЛ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ (промежуточный, 2 этап)
0.933
ИКРБС
Исследование фундаментальных и прикладных основ создания органических полупроводниковых материалов и устройств на их основе
0.923
ИКРБС
Разработка физических основ конструирования и технологии создания полупроводниковых гетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм, фотоприемников спектрального диапазона 850–1600 нм, лазеров с пассивной синхронизацией мод и других типов новых оптоэлектронных приборов
0.922
ИКРБС
Физические основы синтеза напряженных гетероструктур А3В5 и светоизлучающие приборы с предельными параметрами
0.918
НИОКТР
Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии
0.918
Диссертация
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.918
ИКРБС
Физико-технологические принципы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур для мощных источников лазерного излучения с использованием технологии селективной эпитаксии
0.916
НИОКТР
Физические основы создания активных областей вертикально-излучающих быстродействующих лазеров телекоммуникационного диапазона длин волн 1300-1550 нм методом молекулярно-пучковой эпитаксии
0.914
Диссертация
Создание и исследование новых перспективных материалов и структур для элементов функциональной электроники и оптических систем
0.913
ИКРБС
РАЗРАБОТКА ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ В АКТИВНЫХ ОБЛАСТЯХ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
0.911
ИКРБС