ИКРБС
№ АААА-Б17-217041940027-7Экспериментальная апробация гетероструктур, разработка планарной технологии кристаллов вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1250 - 1300 нм
13.04.2017
Цель: разработка базовых методов создания одночастотных вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) диапазона 1250 - 1300 нм (ДВ-ВИЛ). Проведен анализ условий получения лазерной генерации в тестовых излучателях на основе гетероструктур ДВ-ВИЛ. Скорректирована эскизная конструкторская документация на гетероструктуры ДВ-ВИЛ. Разработаны программа и методики исследовательских испытаний гетероструктур ДВ-ВИЛ. Изготовлены экспериментальные образцы гетероструктур ДВ-ВИЛ, и проведены их исследовательские испытания. Предложена лабораторная технология изготовления кристаллов ДВ-ВИЛ, изготовлены экспериментальные образцы кристаллов, и проведены их исследовательские испытания. Скорректирована приборная конструкция кристаллов ДВ-ВИЛ.
ГРНТИ
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
РАСПРЕДЕЛЕННЫЙ БРЭГГОВСКИЙ ОТРАЖАТЕЛЬ
ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР
МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Детали
НИОКТР
№ АААА-А15-115122110072-3
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Похожие документы
Разработка физических основ конструирования и технологии создания полупроводниковых гетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм, фотоприемников спектрального диапазона 850–1600 нм, лазеров с пассивной синхронизацией мод и других типов новых оптоэлектронных приборов
0.951
ИКРБС
ВЫБОР НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ГЕТЕРОСТРУКТУР, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ КРИСТАЛЛА ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИХ ЛАЗЕРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1250-1300НМ
0.950
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.934
ИКРБС
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.932
НИОКТР
Энергоэффективные вертикально-излучающие лазеры с длиной волны 1300 нм на основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств (промежуточный, этап 1)
0.931
ИКРБС
Энергоэффективные вертикальноизлучающие лазеры с длиной волны 1300 нм на основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств
0.929
НИОКТР
Энергоэффективные вертикальноизлучающие лазеры с длиной волны 1300 нм на основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств (промежуточный, этап 2)
0.929
ИКРБС
Разработка конструкции и технологии создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств
0.925
НИОКТР
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований
0.924
ИКРБС
Разработка технологии изготовления мощных полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками на основе полупроводниковых наногетероструктур для технологических применений и диодной накачки
0.923
ИКРБС