ИКРБС
№ АААА-Б17-317121120019-4Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
07.12.2017
Разработаны и проведены технологические операции по изготовлению СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия для оценки их приборно-ориентированных параметров и перспектив применения в ЭКБ частотного диапазона до 10 ГГц. Согласованы конструкции ГС, СВЧ-транзисторов и тестовых элементов для оперативного контроля качества ГС и качества выполнения технологических процессов. Выполнены технологические операции изготовления СВЧ-транзисторов с шириной затвора до 10 мм методами оптической литографии.
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
СВЧ-ТРАНЗИСТОР
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
НИТРИД ГАЛЛИЯ
Детали
Заказчик
Закрытое акционерное общество "Светлана - Рост"
Исполнитель
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ "КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ"
Похожие документы
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.983
НИОКТР
Разработка технологии изготовления СВЧ транзистора на основе нитрида галлия с удельной мощностью до 10 Вт/мм на частоте 3 ГГц
0.958
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.950
ИКРБС
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.950
ИКРБС
Экспериментальные исследования СВЧ- и силовых транзисторов
0.944
ИКРБС
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.944
ИКРБС
Разработка технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.943
ИКРБС
Технология изготовления транзисторов для применения в СВЧ усилителях мощности, на основе эпитаксиальных структур GaN выращенных на полуизолирующем карбиде кремния 4Н 4 дюйма
0.939
РИД
Разработка технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.938
ИКРБС
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.937
НИОКТР