РАЗРАБОТКА НАУЧНЫХ ОСНОВ ЭПИТАКСИИ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AIIIBV ДЛЯ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ ИК-ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ, В ТОМ ЧИСЛЕ И НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ

Объекты исследования: гетероструктуры, GaAs/Si, GaSb/Si, InSb/Si, InGaAs/InP и твердые растворы InAsₓSb₁₋ₓ. Цель: исследование влияния состава и условий формирования переходных слоев на дислокационную структуру и степень релаксации буферных слоев А³В⁵, выращенных методом МЛЭ на отклоненных подложках Si(001); экспериментальные исследования эволюции морфологического состояния поверхности Si и наноостровков А³В⁵ на начальных стадиях гетероэпитаксии слоев А³В⁵ на Si(001) в зависимости от условий их формирования, влияния отклонения подложки и скорости роста на состав и структурные свойства пленок твердых растворов InAsₓSb₁₋ₓ, выращенных методом МЛЭ на поверхности GaAs(001) при различных температурах роста и с использованием различных молекулярных форм мышьяка; разработка счетчика фотонов, чувствительного на длине волны света 1,55 мкм, на основе лавинного фотодиода InGaAs/InP, работающего в режиме Гейгера; проведение экспериментальных, конструкторских и технологических работ, направленных на создание конструкции и технологии изготовления лабораторных образцов ультратонких фотоэлектрических преобразователей на основе гетероэпитаксиальных структур соединений А³В⁵. Выращены гетероструктуры GaAs/Si, GaSb/Si и InGaAs/InP. Проведены исследования пленок соединений А³В⁵ и их твердых растворов на разных этапах их получения на подложках GaAs и Si в зависимости от условий их формирования. Изготовлены тестовые фотодетекторные структуры и фотоэлектрические преобразователи, и изучены их фотоэлектрические характеристики.