ИКРБС
№ АААА-Б20-220120490017-4

Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов

15.03.2020

Объект исследования в рамках проекта – взаимодействие электронного пучка с изолированной металлической, а также диэлектрической мишенями. Основные направления исследований отчетного этапа 2019 года:- Разработка методики определения потенциала поверхности диэлектрической мишени.- Осуществление экспериментов по измерению потенциала диэлектрической мишени в зависимости от условий облучения (ток и энергия электронного пучка, давление и род газа, материал мишени).- Формулировка теоретической модели, связывающей потенциал мишени со вторично-эмиссионными свойствами ее материала.- Обоснование метода определения коэффициента вторичной электронной эмиссии диэлектрика, основанного на измерении потенциала поверхности и параметров пучковой плазмы.- Проведение экспериментов по обнаружению и определению значимости ионной бомбардировки в модификации поверхности диэлектрика при электронном облучении в среднем вакууме.Запланированные в проекте работы по этапу 2019 года выполнены в полном объеме, установленные на 2019 год контрольные показатели достигнуты или превышены. По каждому из перечисленных направлений получены новые научные результаты. За отчетный период по проекту (2019 год) опубликовано 3 журнальных статьи (Scopus). Результаты работы представлены на двух международных конференциях: 14th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2019 September 15–21, 2019 Tomsk, Russia. IEEE PULSED POWER AND PLASMA SCIENCE CONFERENCE 2019 23-28 June 2019 Orlando, Florida.
ГРНТИ
29.27.51 Применение плазмы
29.27.23 Пучки в плазме
29.27.07 Элементарные процессы в плазме
Ключевые слова
ФОРВАКУУМНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ
ОБЛУЧЕНИЕ ИЗОЛИРОВАННОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ МИШЕНИ
ПОТЕНЦИАЛ МИШЕНИ
ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ.
Детали

Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
Похожие документы
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.
0.979
ИКРБС
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.
0.934
НИОКТР
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.
0.934
НИОКТР
Научные основы электронно-лучевой технологии создания многокомпонентных диэлектрических материалов и покрытий с использованием форвакуумных плазменных источников электронов
0.914
ИКРБС
Электрофизические аспекты электронно-лучевых технологий обработки стекла на основе форвакуумных плазменных источников электронов (промежуточный отчет за 2 год)
0.911
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ И МАТЕРИАЛОВ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.906
ИКРБС
Научные основы электронно-лучевой технологии создания многокомпонентных диэлектрических материалов и покрытий с использованием форвакуумных плазменных источников электронов
0.904
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ, А ТАКЖЕ СИНТЕЗА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.903
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ, А ТАКЖЕ СИНТЕЗА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.900
ИКРБС
НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И ПОКРЫТИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОРВАКУУМНЫХ ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭЛЕКТРОНОВ
0.900
ИКРБС