Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.

Проект направлен на выяснение степени влияния вторичной электронной эмиссии на результат воздействия электронного пучка на поверхность диэлектрика при электронно-лучевой модификации в форвакууме. Актуальность планируемого исследования состоит в повышении контролируемости процесса облучения. Это будет достигнуто за счет ряда обстоятельств, одно из которых состоит в применении источника электронов, способного формировать электронный пучок в форвакууме, т.е. в области давлений в единицы и десятки паскаль. В указанных условиях формируется пучковая плазма, поставляющая ионы, частично компенсирующие приносимый пучком на диэлектрик отрицательный заряд. Плазма становится фактором, позволяющим контролировать потенциал поверхности диэлектрика, а следовательно, и энергию облучающих электронов. Научная новизна заключается в определении вклада вторичной электронной эмиссии, как в формирование плазмы, так и в установление величины потенциала поверхности диэлектрика. В результате выполнения проекта будет определена взаимосвязь нескольких факторов: параметров пучка, плотности пучковой плазмы, интенсивности вторичной электронной эмиссии облучаемого диэлектрика и потенциала его поверхности. Одним из значимых достижений станет создание методики определения коэффициента вторичной электронной эмиссии материалов, в том числе диэлектрических, в условиях форвакуума. Научный результат будет также состоять в установлении влияния бомбардировки диэлектрического объекта ионами пучковой плазмы, ускоренными разностью потенциалов плазма – поверхность диэлектрика. Практически значимый результат будет состоять в выработке рекомендаций по выбору режимов электронного облучения диэлектрика с требуемой интенсивностью ионной бомбардировки.