ИКРБС
№ 222021800448-5

1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями

28.12.2021

Цели данной работы – поиск новых материалов (гетерофазных и гетерогенных) для термоэлементов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники, включая разработку методик их синтеза; получение новых знаний в области кристаллографии, физики твердого тела и фотоники на основе комплексных исследований полученных материалов с учетом условий их синтеза. В ходе выполнения работы получены следующие результаты: 1. Проведено сравнительное осаждение слоев ZnO:Ga методом магнетронного распыления на постоянном токе керамической мишени ZnO:3ат.%Ga и композитной металлокерамической мишени ZnO:3ат.%Ga–20вес.%Zn при температурах подложек 50 и 200ºС. Установлено, что в среде Ar в системах обоих типов увеличение содержания Zn в составе потока реагентов при нагреве подложки до 200ºС способствует росту их структурного совершенства слоев и проводимости без ухудшения оптических характеристик. Распыление металло-керамической мишени в среде Ar/O2 показало рост эффективности использования материала распыляемой мишени с ростом содержания кислорода в смеси Ar/O2, однако прозрачные проводящие слои ZnO:Ga с приемлемой для практического использования удельной проводимостью (σ>103 Ом-1∙см-1) были получены при содержании кислорода менее 3%. 2. Cинтезированы высокоплотные проводящие керамические мишени по методу искрового плазменного спекания. Исследованы зависимости микроструктуры и фазового состава керамических мишеней от содержания InO1.5. Получен ряд тонких плёнок ZnO с различным содержанием In (ZnO:In) на стеклянных подложках без подогрева с использованием последовательного магнетронного распыления полученных ранее мишеней в инертной среде Ar и при постоянном токе. Проведено их комплексное исследование рядом физико-химических х методов, таких как растровая электронная микроскопия, энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия. Показано, что с ростом содержания InO1.5 в распыляемой мишени скорость роста увеличивается, а средний размер зерен в пленке уменьшается, при этом состав пленки соответствует составу распыляемой мишени. Также были исследованы электропроводность и оптическая прозрачность тонких пленок, выявившие оптимальный уровень легирования оксида цинка индием (5÷10 мол. %) для получения сравнимых материалов с более дорогими и широко применяемыми плёнками на основе оксида индия. 3. Установлено, что ТВЧ отжиг в процессе изготовления объемного поликристаллического SmS является обязательной стадией для формирования его зеренной микроструктуры. Усовершенствована методика синтеза объемного SmS. Полученные таким способом образцы поликристаллического SmS обладают лучшими параметрами генерации термоЭДС и могут быть использованы для получение тонкопленочных структур SmS. Проведено сравнительное исследование тонкопленочных структур на основе SmS, полученных магнетронным распылением в разных средах. Так в среде H2S распыление SmS не является эффективным для получения однофазного стехиометрического соединения. Решением проблемы примесей может служить использование безмасляной вакуумной техники.
ГРНТИ
29.19.09 Тепловые свойства твердых тел
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.31.21 Оптика твердых тел
Ключевые слова
Нанокристаллы
Полупроводники
оксид цинка
сульфид самария
термоэлектрики
атомно-силовая и электронная микроскопия
оптическая спектроскопия
ренгеновская дифракция
керамика
магнетрон
Детали

Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КРИСТАЛЛОГРАФИЯ И ФОТОНИКА" РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 65 686 956 ₽
Похожие документы
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями
0.966
ИКРБС
Развитие перспективных функциональных материалов для оптических применений в ИК диапазоне
0.946
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.945
ИКРБС
Получение и исследование новых неорганических материалов для твердотельных лазеров и приемников излучения
0.945
ИКРБС
Функциональные слои перспективной элементной базы микроэлектронных систем, полученные методом низкотемпературного синтеза слоёв оксидов металлов в квазиравновесных условиях
0.943
ИКРБС
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.943
НИОКТР
Создание и исследование однопереходных гетероструктур солнечных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.942
ИКРБС
Разработка физико-химических основ процессов получения материалов на основе соединений A2B6, в том числе легированных, для фотоники и квантовой электроники
0.940
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, структуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных материалов с нанокристаллической структурой на основе многокомпонентных композиций широкозонных оксидов
0.938
ИКРБС
Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.936
НИОКТР