ИКРБС
№ 223121400002-9Разработка технологии изготовления и экспериментальных образцов модулей оптических приемников для систем передачи данных до 25 Гб/с (заключительный)
08.12.2023
Отчет 269 с., 265 рис., 26 табл., 72 источника, 8 приложений.
ФОТОНИКА, GaAs, КМОП, SiO2, Si3N4, СВЧ, ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛЬ, ОПТИЧЕСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ВОЛНОВОДЫ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (МИС), САПР.
Целью проекта является разработка технологий изготовления и экспериментальных образцов, проведение измерений интегральных схем (ИС) высокоскоростных InP PIN-фотодиодов (ФД), а также оптических элементов на подложке "кремний-на-изоляторе" (КНИ); разработка экспериментальных образцов и проведение измерений ИС трансимпедансного усилителя на отечественной полупроводниковой технологии с полосой не менее 20 ГГц; разработка технологии изготовления и экспериментальных образцов модулей оптических приемников для систем передачи данных до 25 Гб/с.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
Ключевые слова
Фотоника
СВЧ
оптический приемник 25 Гб/с
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 000 000 ₽
Похожие документы
Этап №2" Разработка технологического маршрута изготовления СВЧ фотодиодов на основе материала InP с гетеропереходом с квантовыми ямами. Разработка технологии корпусирования и монтажа фотонных интегральных схем. Разработка методики измерения электрических параметров широкополосного трансимпедансного усилителя (ТИУ). Разработка технологического маршрута изготовления и конструкций интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках. Определение состава, выбор и обоснование полупроводниковых подложек, материалов и
комплектующих для изготовления трансимпедансных усилителей."(промежуточный)
0.950
ИКРБС
Этап №1"Определение состава, выбор и обоснование гетероструктурных подложек из полупроводникового материала InP, материалов и комплектующих для изготовления СВЧ фотодиодов. Разработка технологических операций изготовления СВЧ фотодиодов на основе полупроводникового материала InP. Оценка технологий изготовления ИС ТИУ, выбор технологии. Разработка топологии сверхширокополосных ИС ТИУ с полосой пропускания с полосой до 20 ГГц на основе отечественного GaAs или КМОП техпроцесса. Разработка методики измерения электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Разработка технологических операций изготовления интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках." (промежуточный)
0.944
ИКРБС
Этап №3 «Разработка технологических операций изготовления СВЧ транзисторов и компонентов интегральной схемы ТИУ. Изготовление экспериментальных образцов СВЧ фотодиодов. Экспериментальное исследование электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Системный расчет и моделирование параметров оптических приемников на основе ИС ФД и ИС ТИУ. Изготовление и измерение экспериментальных образцов интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках (волноводы, устройства ввод-вывода, делители). Определение состава, выбор и обоснование металлокерамических корпусов и комплектующих для сборки оптического приемного модуля.»
0.944
ИКРБС
Исследование методов построения интегрированных микроэлектронных и радиофотонных устройств на базе гетероструктурных технологий для перспективных межвидовых комплексов локации, навигации и связи с многоканальными фазированными антенными решетками (заключительный)
0.924
ИКРБС
Исследование и разработка базовых принципов построения элементов радиофотонного тракта с частотами до 1 ТГц и построения систем на их основе
0.923
ИКРБС
Разработка технологии и технологического оборудования для изготовления активных компонентов фотонных интегральных схем на платформе InP, предназначенных для применения в анализаторах оптических сигналов, телекоммуникационных и радиофотонных системах, в части разработки конструкций фотоприёмных модулей спектрального диапазона 1300-1600 нм
0.921
НИОКТР
РАЗРАБОТКА КОМПЛЕКТА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ И КОНСТРУКЦИЙ ОПТИЧЕСКИХ ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИХ МОДУЛЕЙ СО СКОРОСТЯМИ НЕ МЕНЕЕ 5, 12 И 20 ГБИТ/С
0.920
ИКРБС
Разработка фотонных компонентов для обеспечения отечественного производства оптических трансиверов на скорость 10 Гбит/с и более
(промежуточный) Этап 2
0.918
ИКРБС
Интегральная радиофотоника, квантовые и лазерные технологии
0.916
НИОКТР
Разработка новых научно-технических решений, направленных на создание фотонной компонентной базы для телекоммуникационного оборудования, центров обработки данных и систем радиолокации. (этап 3, отчет за 2024 г.)
0.916
ИКРБС