Развитие базовых технологий формирования и диагностики наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев

В отчете приведены результаты работы по развитию технологий формирования микро- и наноструктур и методов их диагностики. Методами РД и ВИМС исследованы структурные и транспортные свойства серии транзисторных структур AlGaN, выращенных на подложках кремния. Проведен ВИМС анализ фазового состава различных углеродсодержащих материалов - сильно легированного атомами бором алмаза и многослойных структур алмазоподобного углерода (DLC) с чередующимся фазовым составом. Адаптированы методики РД и ВИМС анализа и проведены исследования структуры и состава тонких пленок тетрадимитов BSTS и BT, выращенных методом МЛЭ на подложках кремния и карбида кремния с графеном. Теоретически продемонстрирована возможность создания балочного диода для детектирования коротковолновой части миллиметрового излучения на основе гетероструктуры низкобарьеного диода Al/AlGaN/GaN. Проведена модернизация метода тандемной низкокогерентной интерферометрии для измерения теплового расширения материалов с малым КТР. Теоретически продемонстрирована возможность использования метода тандемной низкокогерентной интерферометрии с гомодинной демодуляцией для регистрации сигналов с многомодовых волоконно-оптических интерференционных систем. Определены условия формирования на пленках GeSn при температурах менее 100°С омических контактов и слоев подзатворного high-k диэлектрика YSZ с высокими затворными характеристиками Получены ультратонкие пленки YBCO, толщиной менее 10 нм, имеющие достаточно высокую (50 K и выше) критическую температуру и удовлетворительные структурные характеристики. Получены тонкие плёнки SnPc на охлаждённых ниже нуля градусов Цельсия подложках с использованием подложкодержателя с Пельте-модулем оригинальной конструкции. Таким образом, все поставленные задачи выполнены в строгом соответствии с Техническим заданием.