«Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»

Объект разработки: Установка контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм» (далее-Установка). Целью первого этапа ОКР «Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм», Шифр «Прогресс-Контроль» является разработка эскизного проекта Установки, патентные исследования. Для достижения данной цели были решены следующие задачи: - разработана КД эскизного проекта установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах, в том числе: 1) общий вид установки; 2) схема пневматическая принципиальная; 3) схема электрическая структурная; 4) схема оптическая принципиальная; 5) общий вид управляющего комплекса; - проведены патентные исследования. На первом этапе ОКР в рамках разработки комплекта конструкторской документации эскизного проекта были проведены предварительные расчёты регистрируемой способности объектива и оптоэлектронной системы установки для заданной длины волны излучения X = 365 нм. Цель проведения расчетов - определение числовой апертуры основного объектива измерительного канала (величина составила не менее 0.9), определение параметров светодиода измерительного канала I и параметров рабочей камеры по технологии комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник, что в совокупности обеспечивают выполнение относящихся к ним требований ТЗ. Данные результаты использованы при разработке конструкторской документации эскизного проекта.