НИОКТР
№ 123092600097-7«Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»
25.09.2023
В рамках ОКР должны быть выполнены следующие работы:
- разработан эскизный проект Установки;
- разработана конструкторская документация (КД), технологическая документация (ТД) и эксплуатационная документация (ЭД) на Установку;
- изготовлено не менее 2-х опытных образцов Установки;
- разработан технологический процесс контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм; разработан технологический процесс аттестации координатной сетки технологических автоматов формирования топологического рисунка ИС на фотошаблонах.
- совместно с Заказчиком проведены приемочные испытания (ПИ) опытного образца Установки, по результатам ПИ КД, ТД, присвоена литера «О»;
- получено заключение предприятия-потребителя по уровню параметров и применяемости разработанной Установки;
- определено предприятие-изготовитель Установки.
Ожидаемые технические характеристики Установки лазерного устранения дефектов в составе:
а) устройство оптико-механическое (ОМУ);
б) блок очистки сжатого воздуха от примесей и влаги;
в) платформа подавления вибраций;
г) компрессор;
д) камера микроклимата (КМК);
е) комплект запасных частей и принадлежностей (ЗИП)
ж) комплекс управляющий (КУ) в составе:
з) стойка управления (СУ)
и) стойка управления координатным столом;
к) стойка компьютерная;
л) программное обеспечение (ПО);
м) аттестованный фотошаблон для юстировки установки
Основные технические требования к параметрам Установки:
Ход координатного стола, мм - 200x200;
Рабочая длина волны измерительных каналов, нм - 365;
Диапазон измерения критических размеров, мкм - 0,3 - 10;
Поле зрения канала высокого разрешения и измерения критических размеров (работа с пелликлами невозможна), мм - 0,1;
Поле зрения канала измерения координат знаков, мм – 0,1;
Поле зрения визуального канала, мм – 0,5;
Среднее квадратическое отклонение (СКО) случайной составляющей погрешности при контроле положения элементов топологии на поле 135x135 мм не должно быть более (без перезагрузки фотошаблона), нм – 3 ;
Среднее квадратическое отклонение (СКО) случайной составляющей погрешности при контроле размеров элементов топологии фотошаблона в диапазоне (0,3 - 10) мкм не должно быть более, нм – 2;
Минимальный регистрируемый размер элемента, мкм – 0,3.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
Установка
Фотошаблон
Технологический процесс
Детали
Начало
11.08.2023
Окончание
30.11.2026
№ контракта
23411.4732190019.05.004
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗЕЛЕНОГРАДСКИЙ ИННОВАЦИОННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 1 410 000 000 ₽
Похожие документы
«Разработка и освоение в производстве установки лазерного устранения дефектов и постановка технологического процесса устранения недопустимых дефектов на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»
0.955
НИОКТР
"Разработка и изготовление опытного образца установки контроля полутоновых маскирующих покрытий фотошаблонов в обеспечение производства ИС топологическими нормами 90-65 нм"
0.952
НИОКТР
«Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»
0.951
ИКРБС
«Разработка и освоение в производстве установки и технологического процесса контроля топологического рисунка ФШ с технологическими нормами уровня 90-65 нм на соответствие проектным данным»
0.948
НИОКТР
«Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»
0.941
ИКРБС
«Разработка и освоение в производстве генератора изображений и технологического процесса формирования топологических структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»
0.929
НИОКТР
"РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ В ПРОИЗВОДСТВЕ ГЕНЕРАТОРА ИЗОБРАЖЕНИЙ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ФОТОШАБЛОНАХ В ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОИЗВОДСТВА ИС С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ НОРМАМИ 90-65 НМ"
0.910
ИКРБС
Разработка и изготовление установочного образца лазерной автоматизированной станции для бесконтактного измерения механических напряжений и контроля локальных дефектов
0.905
ИКРБС
"Разработка и испытания опытного образца системы автоматической инспекции печатных плат. (Заключительный)"
0.903
ИКРБС
Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС
с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)
0.895
НИОКТР