Исследование и разработка наноструктур на основе низкотемпературного GaAs и его тройного соединения InGaAs, с объемным и дельта-легированием кремнием

10.01.2018

Целью работы являлется исследование и разработка физических основ создания наноструктур на базе низкотемпературных (low-temperature, LT-) полупроводников GaAs и InGaAs с объемным легированием и дельта-легированием кремнием. Для достижения цели поставлены следующие задачи.- Методом молекулярно-лучевой эпитаксии будут выращены образцы LT-GaAs и LT-In0.5Ga0.5As на подложках GaAs и InP с ориентацией (100), (111)А, (411)А. c различным способом их легирования кремнием.- Будут исследованы оптические и структурные свойства образцов методом спектросокпии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии.- Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения будут проведены измерения временной динамики фотовозбужденных носителей тока и частотного спектра излучения фотопроводящей антенны.

ГРНТИ

29.19.11 Дефекты кристаллической структуры

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

29.35.33 Миллиметровые и субмиллиметровые волны

29.19.31 Полупроводники

29.35.47 Твердотельные приборы СВЧ-диапазона

Ключевые слова

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-ИНДИЯ

ПРЕЦИПИТАТЫ

ФОТОПРОВОДЯЩАЯ ТЕРАГЕРЦЕВАЯ АНТЕННА

Детали

Начало

01.01.2015

Окончание

31.12.2017

№ контракта

007-03-325

Заказчик

Федеральное агентство научных организаций

Исполнитель

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Бюджет

Средства федерального бюджета: 399 390 ₽

ИКРБС

№ АААА-Б18-218012490192-1

Похожие документы

Исследование и разработка наноструктур на основе низкотемпературного GaAs и его тройного соединения InGaAs с объемным и дельта-легированием кремнием

0.987

ИКРБС

Исследование лазерных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si

0.952

НИОКТР

Рост и исследование лазерных структур с квантовыми точками на подложках GaAs и Ge/Si