Получение многослойных наногетероструктур (In, Ga, Al)As на подложках InP и исследование их структуры комплексом рентгеновских методов.

В настоящее время гетероструктуры с наноразмерными слоями, выращенные на подложках фосфида индия, являются перспективным материалом для изготовления электронных и оптоэлектронных приборов. В ходе выполнения проекта будут получены многослойные структуры с различными толщинами InAs вставки в квантовой яме методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Будут проведены исследования структурных особенностей комплексом рентгеновских методов, включающим в себя рефлектометрию, высокоразрешающую дифрактометрию и регистрацию двумерных карт рассеяния вблизи дифракционных пиков.В настоящем проекте предлагается развитие методик рентгеновского анализа гетероструктур с составными квантовыми ямами, применение данных методик для исследования конкретных образцов и корректировки параметров их роста для улучшения их структурного совершенства.