-Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев

Проект посвящён совершенствованию эпитаксиальных технологий роста актуальных гетероструктур и тонких плёнок, развитию методов диагностики нано- и микроструктур, разработке постростовых методик формирования макетов приборов. Для полупроводниковых гетероструктур важное место займут исследования по эпитаксиальному доращиванию в окна защитных масок и на непланарные микроструктурированные подложки. Для получения плёнок YBCO с наилучшими электрофизическими характеристиками и пониженной дефектностью структуры планируется использовать разрабатываемый метод задающей маски. Для органических материалов основная задача связана с интеграцией низкомолекулярных фотоабсорберов и сложных неорганических полупроводников. Для совершенствования систем оптического мониторинга необходимо разработать базовые микрооптомеханические сенсоры и адаптировать к ним методы оптической регистрации. Будут развиты комплексные методы метрологии атомного состава, структурных и электронных свойств нано- и микроструктур и проведено внедрение новых методик анализа в практику работы ЦКП ИФМ РАН.