Твердотельные наноструктуры для компонентной базы информационных технологий

Проект нацелен на развитие физических принципов создания новых элементов компонентной базы информационных технологий на основе полупроводниковых, сверхпроводниковых и магнитных наноструктур. Основные направления исследований: - развитие метода молекулярно-пучковой эпитаксии нитевидных нанокристаллов; - исследование влияния деформации, уровня легирования и дефектности на излучательные свойства гетероструктур Ge/Si; - теоретическое и экспериментальное исследование влияния дефектов разной природы на электронный транспорт в сверхпроводниках и гибридных системах на их основе; - разработка высокоточных методов исследования электрофизических свойств, селективно легированных эпитаксиальных транзисторных структур на основе алмаза; - отработка технологии напыления и паттернирования магнитных и сверхпроводящих наноструктур; - разработка многослойных зеркал с рекордными параметрами, способные стать эффективной основой оптических схем станций синхротронных центров, рентгеновской микроскопии, проекционной литографии и солнечной астрономии в широком диапазоне длин волн; - разработка компактного высокочувствительного терагерцового спектрометра высокого разрешения для газового анализа на базе полупроводниковых наноструктур для биомедицинских приложений.