Исследование и разработка способов изготовления интегральных оптических волноводов и элементов на их основе

В оптоэлектронных устройствах, ФИС и ФЭИС для разных применений широко используются различные пассивные интегральные оптические элементы, такие, как волноводы, делители, ответвители, резонаторы, фильтры, элементы ввода-вывода и др. Хотя технология изготовления арсенид-галлиевых СВЧ МИС и фотодетекторов в достаточной степени отработана, в том числе на отечественных предприятиях, пассивные оптические элементы и устройства на базе тонких пленок ниобата лития и нитрида кремния пока сравнительно мало применяются за рубежом и особенно в России. В связи со сказанным и значительными перспективами использования, исследование технологии и разработка базовых элементов тонкопленочной интегральной фотоники являются актуальными задачами. Ожидаемые результаты: новые конструктивно-технологические способы изготовления интегральных оптических волноводов и элементов на основе: структуры LiNbO3 на SiO2; структуры AlGaAs/GaAs; структуры Si3N4/SiO2. Ключевые характеристики результата: Потери на вводе/выводе с использованием дифракционной решетки – 4 дБ/стык; Затухание в волноводе – не более 0,2 дБ/см; Потери на вводе/выводе с использованием двухступенчатого рупорного волновода – 3 дБ/стык.