Разработка технологических процессов формирования Si/A3B5 гетерогенно-интегрированных структур и источников лазерного излучения на их основе

В ходе выполнения НИР должен быть разработан: комплекс постростовых технологических процессов, обеспечивающих создание инжекционных источников лазерного излучения на основе гетерогенно-интегрированных Si/A3B5 структур, а также комплект эскизной технологической и конструкторской документации для разработанных источников. Разрабатываемый комплекс постростовых технологических процессов, обеспечивающих создание инжекционных источников лазерного излучения на основе гетерогенно-интегрированных Si/A3B5 структур, а также комплект эскизной технологической и конструкторской документации для разработанных источников предназначен для решения проблемы, связанной с созданием инжекционных источников лазерного излучения для активных фотонных интегральных схем КНИ/А3В5 (КНИ – кремний на изоляторе), позволяющих использовать групповые технологические операции, в том числе при разработке модулей телекоммуникационного оборудования и оборудования центров обработки данных