ИКРБС
№ АААА-Б16-216051850006-0Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка лабораторной планарной технологии тестовых кристаллов ВИЛ.
25.12.2015
Цель: разработка вариантов конструкций, базовой технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и методов диагностики параметров полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработаны эскизная конструкторская документация и лабораторные технологические инструкции на технологию МПЭ-синтеза макетов наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 и 950 - 1060 нм. Изготовлены макеты наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 и 950 - 1060 нм, и проведены исследовательские испытания. Разработана технологическая документация на технологический процесс изготовления тестовых кристаллов ВИЛ.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
Ключевые слова
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА
КВАНТОВАЯ ЯМА
РАСПРЕДЕЛЕННЫЙ БРЭГГОВСКИЙ ОТРАЖАТЕЛЬ
ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР
МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Детали
НИОКТР
№ 114102470034
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Похожие документы
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований
0.971
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.967
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.953
ИКРБС
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.942
НИОКТР
Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5
0.940
НИОКТР
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.930
НИОКТР
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.925
ИКРБС
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300 - 1550 нм
0.925
ИКРБС
Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений AIIIBV и AIVBIV для перспективных применений в оптоэлектронике и кремниевой фотонике
0.924
НИОКТР
ОТЧЕТ ПО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ "Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктyр лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5" промежуточный, этап 2: «Разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5»
0.923
ИКРБС