Составная часть опытно-конструкторской работы "Разработка и изготовление технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) кластерного типа"

Составная часть опытно-конструкторской работы «Разработка и изготовление технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа», шифр «Кластер ПХТ 65-ТМ»

Разработка и изготовление промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического травления (ПХТ) кластерного типа с технологическими модулями: - модуль травления металлов; - модуль ICP RIE анизотропного высокоселективного травления кремния и поликремния; - модуль удаления фоторезистивных и полимерных слоев; - модуль травления высокоаспектных диэлектрических структур и роботизированной системой транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров

Разработка и производство промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) на базе кластерной системы с технологическими модулями: - модуль PECVD осаждения нитрида кремния; - модуль PECVD осаждения оксида кремния (SiH4/N2O); - модуль PECVD осаждения оксида кремния (TEOS); - модуль субатмосферного осаждения оксида кремния из TEOS/03 и роботизированной системы транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров

Разработка и организация производства промышленно-ориентированного комплекта специального технологического оборудования атомарно-слоевого осаждения, плазмохимического травления и очистки и разработка нак их основе базовых технологических процессов для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм с уровнем технологии 180-65 нм

Разработка и организация производства промышленно-ориентированного технологического оборудования быстрого термического отжига, плазмохимического и физического осаждения, атомно-слоевого травления и разработка на их основе базовых технологических процессов для производства ЭКБ на пластинах диаметром до 200 мм

Составная часть опытно-конструкторских работ "Разработка и изготовление комплекта установок ионной имплантации (высокоэнергетическая) и (среднетоковая) для полупроводникового производства"

Разработка и организация производства промышленно-ориентированного специального технологического оборудования газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для реализации базовых технологических процессов эпитаксиального роста III-N гетеро-структур на подложках диаметром до 200 мм

Исследование и разработка технологических процессов атомно-слоевого осаждения с использованием разрабатываемых в РФ материалов для современных технологий микроэлектроники

ОТЧЕТ об опытно-конструкторской работе "Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин", шифр "Прогресс ЭЛЛ 150" по теме: "Разработка технического проекта установки, анализ, программа и методика исследований и технические требования на отработку БТП, разработка рабочей документации для изготовления установки и эскизная и рабочая КД на стенд исследования и отработки БТП изготовления ФШ и экспонирования полупроводниковых пластин (промежуточный, этап 1)

Разработка установки электронно-лучевой литографии и базовых технологических процессов формирования на фотошаблоне топологических элементов ИС с проектными нормами 150 нм и прямого экспонирования полупроводниковых пластин