Исследование и разработка технологических процессов атомно-слоевого осаждения с использованием разрабатываемых в РФ материалов для современных технологий микроэлектроники

В ходе выполнения НИР должны быть исследованы и разработаны технологические процессы атомно-слоевого осаждения с использованием разрабатываемых в РФ материалов для современных технологий микроэлектроники, используемых в производственном цикле при создании низкоразмерных транзисторный структур, новых видов энергонезависимой, барьерных слоев в системе металлизации. Кроме того, будут исследованы и разработаны технологии атомно-слоевого травления низкоразмерных структур, тонких пленок диэлектриков, слоев GaN в HEMT транзисторах.