Разработка технологий создания и правил проектирования СВЧ и фотонных ИС на базе материалов группы А3В5 и Si с топологическими нормами до 65 нм

В активных ФАР приёмо-передающий модуль (ППМ) разделяется на блок управления фазой и блок усиления выходного и входного тракта модуля. Для многолучевых антенных систем и антенных систем с малой апертурой применяется архитектура ППМ основанная на использовании GaN усилителя мощности по схеме Догерти, GaAs малошумящего усилителя с коэффициентом шума менее 1 дБ, GaAs core-chip для двухлучевой системы, Si core-chip для многолучевой системы. Так же перспективным направлением является применение фотонных интегральных схем в качестве диаграмма-образующей схемы ППМ, что позволят значительно снизить энергопотребление и уменьшить масса-габариты из-за высокой развязки между каналами. Проект предусматривает проведение прикладных научных исследований и разработок, ориентированных на создание усилителей мощности (УМ) на основе нитрида галлия (GaN) с использованием схемы Догерти, а также малошумящих усилителей (МШУ) на арсениде галлия (GaAs) с коэффициентом шума менее 0,8, предназначенных для приемо-передающих модулей (ППМ) активных фазированных антенных решеток (АФАР).