РИД
№ 616011510119

Светолоизлучающее устройство

15.01.2016

Предлагаемая полезная модель относится к области опто- и наноэлектроники и может быть использована в качестве источников излучения в оптоэлектронике, оптике, а так же для создания микро- и нанооптоэлектронных, нанооптических систем, в квантовых и оптических компьютерах и в других областях науки и промышленного производства. Техническим результатом заявляемой полезной модели является создание светоизлучающего устройства на основе кремния с гладкой морфологией поверхности и с возможной реализацией в промышленном производстве. Поставленная задача достигается тем что, в светоизлучающем устройстве, содержащем кремниевую подложку с последовательно выращенными наноразмерными поликристаллическими слоями диэлектрика и кремния, причем слои кремния имеют две латеральные области p- и n- типа, омические контакты, слои диэлектрика выполнены из диоксида кремния.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
КРЕМНИЙ
ОКСИД КРЕМНИЯ
ЛАТЕРАЛЬНЫЙ P-N ПЕРЕХОД
ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
Детали

НИОКТР
№ 114102470062
Тип РИД
Полезная модель
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский государственный технический университет»
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации