Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных структур с широким диапазоном концентраций легирующих примесей при относительно низких температурах роста. Способ и устройство основаны на резистивном испарении напыляемых материалов и реализуют формирование легированного слоя полупроводниковой структуры путем одновременного испарения основного нелегированного материала и основного материала, легированного примесью. Для повышения качества структуры при формировании легированного слоя полупроводниковой структуры поддерживают постоянной плотность потока основного материала путем подбора электрического тока,пропускаемого через источник основного нелегированного материала, и электрического тока, пропускаемого через источник основного материала, легированного примесью.