Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Метод ЖФЭ применяют для изготовления оптоэлектронных приборов (светоизлучающие диоды, фотоприемники и пр.) и приборов силовой электроники (pin-диоды, транзисторы и пр.). При реализации разработанного способа выращивают дополнительный слой AlxGa1-xAs состава 0,85 ≤ x ≤ 0,95 после формирования последнего функционального слоя гетероструктуры с последующим удалением дополнительного слоя путем химического селективного травления. Технический результат, получаемый при реализации разработанного способа, состоит в улучшении электрофизических параметров эпитаксиальных структур, выращенных методом ЖФЭ, при одновременном исключении прецизионной дополнительной операции по удалению избыточной толщины функционального слоя.