Программа для измерения деградации основных параметров pМОП–транзисторов под воздействием высокой температуры и отрицательного смещения напряжения, с помощью тестовых структурах в составе пластин

Программа применяется в производстве ИС для анализа качества МОП транзисторов и создания перспективных конструкций МОП транзисторов устойчивых к проявлению деградационных процессов, вызванных влиянием высокой температуры и отрицательным смещением напряжения.Программа предназначена для проведения автоматизированных измерений тестовых структур в составе пластин с помощью измерителя Agilent B 1500 и зондовой станции SUSS PA 300. Программа имеет пользовательский интерактивный графический интерфейс и представляет собой автоматизированную высокоскоростную систему измерения и обработки полученных результатов, которая работает в режиме реального времени. Программа позволяет в автоматизированном режиме проводить измерение деградации под стрессовыми нагрузками следующих основных параметров pМОП транзисторов: порогового напряжения, крутизны транзистора, тока насыщения и тока в линейной области. Данные измерения автоматически записываются в файл в формате Microsoft Excel.