Программа измерения параметров подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник при их тестировании методом возрастающего тока

Программа предназначена для управления автоматизированным комплексом по измерению параметров подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при их тестировании методом возрастающего тока. Отличительной особенностью программы является возможность наряду с испытаниями, направленными на определение параметров времязависимого пробоя, проводить мониторинг изменения зарядового состояния подзатворного диэлектрика в течение всего процесса испытания. Для многих МДП приборов потеря их работоспособности возникает не в результате пробоя подзатворного диэлектрика, а существенно раньше в результате его зарядовой деградации, сопровождающейся недопустимым смещением порогового напряжения МДП транзистора и ухудшением его основных электрофизических характеристик. Следовательно, использование статистических измерений параметров, характеризующих зарядовую деградацию подзатворного диэлектрика наряду с параметрами времязависимого пробоя, может существенно повысить достоверность оценки надежности диэлектрической пленки и МДП-приборов на ее основе. Результатом работы программы является файл с массивом данных: плотность тока сильнополевой инжекции, напряжение на МДП-структуре в процессе стрессового воздействия, изменение напряжения при фиксированном инжекционном токе. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Windows/Linux.