Топология магниторезистивного преобразователя магнитного поля с самосовмещенными слоями и межслойным изолятором

31.01.2017

Топология тонкопленочного магниторезистивного преобразователя магнитного поля, выполненная по технологии, в которой рисунок магнитного слоя совпадает с рисунком проводящего слоя, обеспечивает создание преобразователя с чувствительностью к магнитному полю не менее 16 (мВ/В)/(кА/м), при напряжении питания 5 В. Межслойный изолятор позволяет уменьшить эффект рассовмещения слоев при литографии. Магниторезистивный преобразователь с заявленной топологией изготавливается по МЭМС технологии

ГРНТИ

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

Ключевые слова

МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ СЕНСОР

АМР ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

МАГНИТНОЕ ПОЛЕ

Детали

НИОКТР

№ 114071570049

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Топология макета магниторезистивного преобразователя магнитного поля с самосовмещенными слоями

0.974

РИД

Топология магниторезистивного преобразователя-градиометра на основе тонкопленочных магнитострикционных наноструктур

0.929

РИД

Топология магниторезистивного преобразователя тока

0.913

РИД