Топология магниторезистивного преобразователя-градиометра на основе тонкопленочных магнитострикционных наноструктур

29.10.2018

Область применения топологии - микросистемная техника. Назначением интегральной микросхемы с регистрируемой топологией является преобразование принимаемого сигнала в электрический сигнал, обеспечивающееся эффектом обратной магнитострикции. Топология изготавливается с использованием технологических процессов объемной обработки кремния, напыления металлических и диэлектрических пленок, магнетронного напыления, процессов фотолитографии, травления пленок и анизотропного травления кремния. Используются базовые технологии и тонкопленочные технологии на кремниевых пластинах диаметром 100 мм с ориентацией (100).

ГРНТИ

45.09.29 Магнитные материалы

50.09.37 Датчики и преобразователи

53.49.07 Физические свойства металлов и сплавов

Ключевые слова

МАГНИТОСТРИКЦИЯ

НАНОСТРУКТУРА

МИКРОСИСТЕМА

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А16-116082350008-4

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

Преобразование контролируемого внешнего механического воздействия в электрический сигнал обеспечивает возможность использования топологии в преобразователях/датчиках давления и деформации.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Топология магниторезистивного преобразователя на основе наноструктур с магнитострикционным эффектом

0.956

РИД

Топология преобразователя магнитного поля на основе наноструктурированных магнитострикционных пленок

0.935