Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния, у которых верхняя часть слоя закристаллизована фемтосекундными лазерными импульсами с целью формирования гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний. Техническим результатом является формирование гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний и солнечного элемента на его основе с повышенными (по сравнению с солнечными элементами на основе аморфного гидрогенизированного кремния) значениями фотовольтаических параметров , при относительной дешевизне изготовления в сравнении с солнечными элементами из кристаллического кремния.