Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств, на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии и изменение типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния за счет увеличения электрически активных атомов бора в аморфном гидрогенизированном кремнии. Способ изменения типа проводимости и повышения эффективности легирования бором аморфного гидрогенизированного кремния включает получение тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированных бором и обработку пленок фемтосекундными лазерными импульсами.